삼성전자, 엔비디아 ‘GTC’서 차세대 HBM4E 최초 공개…AI 동맹 고도화

[SWTV 오한길 기자] 삼성전자는 16~19일(현지시간) 미국 새너제이에서 열리는 엔비디아 ‘GTC’에 참가해 차세대 HBM4E를 최초 공개한다고 17일 밝혔다.

삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 통해 HBM4부터 핵심 경쟁력으로 떠오른 ▲메모리 ▲로직 설계 ▲Foundry ▲첨단 패키징을 아우르는 종합반도체 기업(IDM)만의 강점을 부각했다. 또 ‘Nvidia Gallery’를 통해서는 AI 플랫폼을 함께 완성해 나가는 양 사의 전략적 파트너십을 강조했다.

▲ 삼성전자 HBM4E. [사진=삼성전자]

이외 전시 공간을 ▲AI Factories(AI Data Center) ▲Local AI(0n-device AI) ▲Physical AI 3개의 존으로 구성해 기술력을 공식적으로 인정받은 GDDR7, LPDDR6, PM9E1 등 차세대 삼성 메모리 아키텍처를 소개한다.

행사 둘 째 날인 17일(현지시간)에는 엔비디아의 특별 초청으로 송용호 삼성전자 AI센터장이 발표에 나서 AI 인프라 혁신을 이끌 엔비디아 차세대 시스템의 중요성과 이를 지원하는 삼성의 메모리 토털 솔루션 비전을 제시한다.

이를 통해 양 사의 협력이 단순한 기술 협력을 넘어 AI 인프라 전반으로 확대되고 있음을 보여줄 예정이다.

삼성전자는 이번 전시에서 ‘HBM4 Hero Wall’을 마련해 삼성의 HBM 기술 리더십을 가장 먼저 조명할 수 있도록 동선을 구성했다.

삼성전자는 HBM4 양산을 통해 축적한 1c D램 공정 기반의 기술 경쟁력과 삼성 Foundry 4나노 베이스 다이 설계 역량을 바탕으로 차세대 HBM4E 개발을 가속화하고 있고, HBM4E 실물 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개했다.

HBM4E는 메모리, 자체 Foundry와 로직 설계 역량, 첨단 패키징 기술 등 부문 내 모든 역량을 결집한 최적화 협업을 통해 핀당 16Gbps 속도와 4.0TB/s 대역폭을 지원할 예정이다.

삼성전자는 또 영상을 통해 TCB(Thermal Compression Bonding) 대비 열 저항을 20% 이상 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 HCB(Hybrid Copper Bonding) 기술을 공개하며, 차세대 HBM을 위한 삼성전자의 패키징 기술 경쟁력을 강조했다.

아울러 Vera Rubin 플랫폼에 탑재될 HBM4 칩과 Foundry 4나노 베이스 다이 웨이퍼를 전면에 배치해 차세대 칩을 구현하는 삼성의 HBM 라인업을 한눈에 확인할 수 있도록 전시를 구성했다.

특히 이번 전시를 통해 전 세계에서 유일하게 엔비디아 Vera Rubin 플랫폼의 모든 메모리와 스토리지를 적기에 공급할 수 있는 메모리 토털 솔루션 역량을 부각했다. 또 ‘Nvidia Gallery’를 별도로 구성해 ▲Rubin GPU용 HBM4 ▲Vera CPU용 SOCAMM2 ▲스토리지 PM1763을 Vera Rubin 플랫폼과 함께 전시해 양 사의 협력을 강조했다.

한편 삼성전자 SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버용 메모리 모듈로 품질 검증을 완료하고 업계 최초로 양산 출하를 시작했다.

삼성전자는 “양 사의 협력을 바탕으로 글로벌 AI 인프라 패러다임 전환을 함께 이끌어 갈 것이다”라고 말했다.